美光股票即时行情显示，台积电盘中一度涨超5%，最终收涨4.1%，报66.8美元/股，市值达1.3万亿美元。这是台积电上市以来首次突破600美元大关。此此前，该公司股价在今年2月触及历史新高后开始回落，目前已跌破600美元关口。不过，台积电的股价依然高于苹果、英特尔等科技巨头的股价。截至至周二收盘，台积电股价为598.6美元，市值为1.4万亿美元。而苹果的股价为169.8美元，市值为1.2万亿美元。
1、美股三大股指为何再次大幅下挫，道指跌超550点，已跌破26000点大关！你怎么看？
优质回答1：从今天Ａ股的再次下跌来看，完美的诠释了跟跌不跟涨的特性，要知道美国股市昨日可是大涨了，道指收盘上涨1.21%，虽然和前面的下跌相比仅仅是反抽上行，但是起码人家股市是在抵抗性上涨，道指跌破了26000点大关，不过在昨日晚间已经再度站回到26000点上方了，可是今日A股仍然是三大指数翻绿收跌，如果后面美股继续大跌，A股会跌的更欢了。
美国三大股指此次下跌，不外乎投资者对美国经济的担忧抛售风险资产，转投债券和黄金市场，更是在贸易争端的影戏下导致的美股下挫，很多人说是降息引起的美股下跌，这个理由站不住角，美联储降息的目的是为了 *** 经济，经济一旦好转对上市企业存在业绩改善的作用，很显然会 *** 股市走好，真正的问题还是贸易担忧和降息利好兑现引发的大跌。
那美股跌破了2600点又站上2600点，怎么看？1，美股涨势未变，预计调整后还会上行。不要去猜测美股的涨势结束，美国股市完全是大机构控仓的行情，跌了就会继续上涨，一直在怀疑中创造新高，而且眼下贸易局势的影响已经让全球股市引发下跌，但是美股的下跌仍然是调整，可是A股的下跌却是大跌，从昨日的上涨就可以发现，一旦给予美股反抽的机会，美国股市涨势仍然颇强。
并且预计在后面的美联储会议中，仍然存在降息的预期，有利于美股中期止跌后稳定波动，虽然美联储四任 *** 反对特没谱干预美联储行为，但是无论特没谱有没有干预，美联储对美国经济衰退总要采取应对策略，眼下降息后如果经济不能快速复苏，再次降息也是合理，美股就会止跌再涨。
2，美股走强，但是A股跟跌不跟涨。谈到外国股市，总有一种难跌会涨的想法，美国股市2015年开始就有人唱熊市，到了今天还在高位，A股2015年熊市开始至今，还在低位。股市的本质不同，造就了不同的市场，每次谈到美股就想到A股，美国股民很幸福，A股股民在深套，不同的股市走出不一样的行情。
尤其是跟跌不跟涨的性质，导致A股的熊市周期越来越长，这轮调整的周期长达四年多，按照目前这种情况，新股常态化发行， *** 股市高位震荡，预计此轮的熊市至少五年时间，但是美股可能后面还会新高，美联储还会降息助涨美股，可是A股呢？
总之，美股的走强是美国对股市的重视，就算每次下跌都会有应对措施让美股继续上行，每次机构投行唱空，但美股依然不断上涨，没理由认为此次下跌就是美国熊市的到来。
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优质回答2：我在之前的回答中刚刚阐述了这里的问题，这里简述观点：
首先，美股下跌的根源来自于结构性的问题，之一是与经济基本面的长期走势背离，第二则是回购对美股的拉升。回购是不可以持续的，因此美股的上涨早晚会停滞。
其次，美股下跌的短期原因是美联储降息和贸易原因。降息的不果断不彻底，让美股中留存的投机资金大规模撤出，导致了短期下跌；同时，之前市场对于贸易问题过于乐观，未将贸易问题的反复计入市值，因此在贸易出现波动时，大幅度回调。
第三，美股的下跌很可能带来美联储9月的被迫降息，并且可能引发降息周期的开启。不过，降息对美股不可能形成长期支撑，因为基本面的抬升现在相当乏力。
然而，短期内对借贷回购的延续，和对资本价格的抬升，能够使降息周期开启后的美股有重新喘息的机会，不过可能美股这一轮上涨长周期已经结束了，未来的衰退周期为时不远。
优质回答3：美股大幅下跌，主要还是基于关税问题复杂化和长期化，带来的未来美国国内进口成本上升，消费价格上升以及产业受到关税问题的影响。而此前市场预期的降息已经兑现，但是，降息预期并没有显著超过市场预期，不论从降息时点推迟还是降息力度，都不及预期，因此，市场回归了经济面本身，而经济目前更大的困扰因素就是关税问题。
从关税事件反复多次和目前效果来看，以高通，美光为首的对华出口高科技企业盈利增速营收下滑比较严重。而特朗普对“3000亿美金加征关税”，主要指向手机电脑等电子产品，而电子产品的高端产业链主要在美国，比如高通，美光，微软，谷歌。加征的关税会明显打压上述美国国内的科技巨头的盈利前景。
从美股走势来看，市场的一致预期和“中期选举”的传统，就是倾向于在“中期选举”落地之前，维持经济增速和就业指标。从这个历史传统来看，在“中期选举”至少，市场应该中性偏乐观。而关税问题，是否取得突破性协议，是未来除了中期选举之外主要决定美股走势的关键。假设关税问题拖而不决，则需要指望中期选举因素稳定市场。
而从美联储四任 *** 出来齐发声来看，反对是特朗普干预美联储的独立性。但是，如果关税长期化复杂化，则美联储未来继续降息，加大降息幅度和频率，的概率就会显著提升，从而有利于美股中期稳定。至少在中期选举之前。
应该说，美股的暴跌走势，更多地体现了对全球经济未来前景的担忧，而非美国经济前景的担忧，未来美股的下跌，也更多地反应了未来全球经济和贸易格局的风险，而非美国美股本身的风险。毕竟，美国高科技企业的盈利水平和现金流水平放在全球视野来看，都是更具竞争力，这点很难改变其抗风险的能力。
优质回答4：美国股市最近一段时间以来进去了大幅调整，股指连续失守27000点和26000点整数关口，而且股指每天波动的幅度都非常大，怎么美股市场到底怎么了呢？
国内 12 英寸晶圆厂未来几年进入密集建设期，叠加贸易事件催化，国内半导体材料企业成长有望提速。中芯国际、长江存储、华力微电子等国内晶圆厂陆续投产将加速国内半导体材料企业成长。同为半导体行业上游的
新材料其实就是半导体材料，主要分一下几大块：
1、大硅片：*** 信越等五大巨头占据全球 95%的大硅片市场份额，目前国内有上海新昇等少数企业实现 12 英寸大硅片量产。
2、光刻胶：目前 PCB 、LCD 光刻胶国产化进度较快，国内企业在半导体光刻胶领域与世界先进水平仍有较大差距，晶瑞股份、上海新阳、南大光电等少数企业布局ArF、KrF 光刻胶，尚无企业涉及 EUV 光刻胶。
3、电子气体：雅克科技、华特气体等电子气体国产化程度领先，华特气体等少数企业实现了对国内 8 英寸以上集成电路制造厂商覆盖，并进入英特尔、美光科技、德州仪器）、海力士等全球领先的半导体企业 *** 链体系。
4、湿电子化学品：国产化程度领先，江化微、晶瑞股份等少数企业产品技术等级可达到 SEMI 标准G4、G5 级，客户覆盖中芯国际、华润微电子、长电科技等企业。
5、 靶材：对外依存度仍然高于 90%，江丰电子等个别企业突破了 7nm 技术节点，进入国际靶材技术领先行列，成为中芯国际、台积电、格罗方德、意法半导体等厂商的高纯溅射靶材 *** 商。
6、 CMP 抛光材料：安集科技等个别企业 CMP 抛光液 130-28nm 技术节点实现规模化销售，14nm 技术节点产品已进入客户认证阶段，10-7nm技术节点产品正在研发中。
以上是对新材料也就是半导体材料的总结，首先对于中芯国际的回归，带动国内产业链那是必须的，相关设备及材料都会加速国产替代，既然芯片方向已经得到了资金的认可，那么就有必要把他的上游产业链研究透了，炒股不就炒的预期么！预期有了，逻辑就有了，饼也好画了！
希望这个回答对你能有所帮助，感兴趣的朋友可以点关注，主页里还会有更多详细的分享，谢谢！
不追涨，勿杀跌，获利只在用功间——A股大兵
以上内容不构成投资建议，股市有风险，入市需谨慎。
优质回答3：疫情之后经济复苏，那什么样类型的股票会涨呢？
首先是医苗，大健康，科技股等龙头企业会涨。
未来是好的企业越来越好，差的企业越来越差。
华尔街所有好的股票是由那4%的股票产生的，剩下96%的股票都是打酱油。所投资的二级市场和投资一级市场一样，我们要用一级市场的投资思维来投资二级市场，这叫做高维打低维。
中国的股票就3500支，真正值得投资的就那100家左右，一百家左右的龙头股。在股市上研究K线图的，研究股市的基本上是很难赚到钱。研究企业商业模式的才能在股市里赚到钱。一个企业从盈利不可持续变成盈利可持续，它的股价会暴涨。
4、内存条什么时候降价？
优质回答1：现在因为疫情的原因所有的电脑和配件都涨价了，而且现在很多人都以为电脑卡只要买个内存条加上就不卡了，也导致很多人在买内存条，推动了涨价啊，如果你实在等不及建议买二手的内存条，二手的内存条的优点就是价格会便宜一些，质量各方面都有保障的，如果买到了坏的可以退换货的。
优质回答2：RAM的利润大概是10-20%，中国工业制造领域平均利润也就3%，如果想看到内存大幅度降价，不妨可以关注下中国试产DRAM的情况，前段时间是失败了，为此呆湾的《 *** 》还特意报道了一下，中国试产成功，呆湾真的可以去见鬼了...毕竟这可是呆湾的支柱产业啊...
下面看下最近这几年的内存条的价格
可以看出内存条涨跌的幅度非常之大，2012年前后大白菜价、2013年大涨价、2014年有所回落、2015年降到低谷、2016年持续上扬，2017年……。2017年，仅仅用了不到1个月时间，内存整体价格就上涨幅度超18%，涨价之凶猛多年未见了。
之前，内存每一次涨价的背后都会经历一次“天灾”，至于这个灾难到底是人为还是意外真的不好说，例如一开始内存涨价是因为颗粒场火灾、发大水，之后再到晶元颗粒库氮气泄露。而2017年这一次内存暴涨，是因为DRAM颗粒缺货严重，全年内存DRAM都面临缺货窘境，导致了各大内存厂家产能降低。目前DRAM内存厂家并没有增产的计划，因为主要产能转移生产3D NAND闪存，因此造成了DRAM内存颗粒缺货的情况。
目前DRAM颗粒的行情呈现继续上涨的趋势，远没有NAND闪存乐观，三星、美光等巨头都表示，没有增产DRAM计划，且将更多的精力投入到3D NAND制造上来，这将更一步加剧DRAM供不应求的局面。这样局面将导致内存价格继续上涨。
今年之一季度，保守的预测内存价格会冲击高点，像DDR4-2400 8G单条还有100元左右上涨空间，而DDR4-2400/2800 8Gx2套装还有100-200元上涨空间。今年内价格没有回落太多余地。如果近段要买内存的用户要抓紧了，后面还要接着涨
优质回答3：国服吃鸡开始后会有小幅度反弹，预计明年4月后4 *** 始小幅度阶梯下降，3代下降可能快点，现在110主板多厂家支持3代主板，降到150还是很快的。测试优化后的绝地内存使用率稳定6.5G。不追求极致画面的话8G够用了。
5、如何正确选择适合自己的内存条？
优质回答1：对于这个问题，本人只能给一些参考，能对小白有帮助的话我很乐意。前言："鱼与熊掌不可兼得"，生活也是如此，生活中有很多事物不能够兼得，此时我们应该学会取舍，而难点就在于如何去做抉择。
草鸡身为一个DIY玩家，很抱歉不能给Y友带好喝的心灵鸡汤来。但是！草鸡既然是一个搞机的，挑个硬件还是妥妥的！今天就给Y友梳理一下，想要性价比，内存条应当如何选择！
正文：内存条是可通过总线寻址，并进行读写 *** 作的电脑部件。内存条在个人电脑历史….（红色有角三倍速 自百度百科）。
内存作为CPU的临时指令存取桥梁，所有指令都是通过CPU发出后在内存中进行运行处理，然后把一些随机必要处理的数据留在桥上以便CPU能够即时处理数据。
首先简单的讲一讲，内存容量大小和主机性能的直接关系。
内存容量越大，CPU可存取的信息越多。举个栗子，在同样的硬件环境下，挂一个 *** 要占用400MB内存容量话，系统本身占用为1G，4G内存可以挂7个 *** ，8G内存就可以挂17个 *** 。
但并不是说，4G内存能挂7个 *** 就不能挂8个，挂8个 *** 话内存的使用量就会达到4.2G，大于了4G内存本身，此时CPU就会从硬盘里调动不足的部分容量来作为"虚拟内存"使用，硬盘的存取速度自然没有内存快，所以我们使用的时候就会有很明显的卡顿感觉。
而像平时挂个 *** ，开个网页看看新闻，看看 *** 什么的，内存使用量不足4G的情况下，使用4G内存和8G内存是没有多大区别的。
下面再来说一说，内存的频率和性能的直接关系。
在当下主流为DDR4内存条下，默认频率为2133MHz，向上的还有2400MHz、3000MHz以及3200MHz，甚至自己动手超频到4000MHz的也有。
像CPU的核心频率一样，频率越高，处理随机存取的速度越快，性能也就越强，相同的价格也就越贵。
普遍日常家用，上DDR4基础频率2133MHz即可，为什么不选取2400HMz或者是3000MHz的原因很简单。
其一：一般家用主板对内存条的更高支持频率有一个更高上限，普遍在2133MHz和2400MHz两个之一，即使插上3000MHz频率的内存，发挥的性能也只能到主板更高支持的频率性能。
其二：除了跑分，频率高低在日常使用情况下，速度的差异在零点几秒甚至微秒之间！而身为一个正常的人类，是根本感觉不到的....
那为什么会有高频内存上市呢，这并不是出厂商的一个阴谋，而是给发烧友们的一个入门选择，发烧友玩家的装备都是更高端最旗舰的那种，配上高频内存后，整体性能提升肉眼可见。
原因无他，电脑主机就是一个完整的生命体，各个硬件搭配缺一不可，只有当所有的部分强大了，才会产生平衡，整体也就更强大。否则，一只正常的手拖着另一只硕大的麒麟臂，又能跑多快呢？
最后，像现在各个大品牌厂出的各种走马灯的内存条，和普通的内存也没多大区别，就加了几个RGB灯，上了一个散热马甲（那么多灯，发热量能不大吗）。又在良好的电竞环境下，让自家产品变的好看一些的同时也有个好价更好卖出去。
至于双通道就很容易理解了。简单的说就是：一根内存只负责读，另一根内存只负责写，理论读写速度提升一倍。当然这需要主板支持，基本上有四根插槽的主板都支持。（个别型号两槽也支持）
话至此，各位Y友请不要盲目听信黑商或是某水友的直接推荐！根据自身需求来选择才是更好的！（富家弟子除外）
总结一下，在DDR4平台中，日常使用为 *** ，微信，表格，WORD，写代码的之类的，4G内存足以（需要多开上4G*2组双通道）；
非重度制图，及一般网游， *** 等单根8G足以（未来升级再加一根8G组成双通道即可）；
大型单机，网游，高度渲染等8G*2足以，主板支持就选频率2400MHz频率。
后语：为什么有富家弟子除外？富家弟子装一台主机都是万元起，毫无性价比可言。
富家弟子的内存选择？那就很简单了，直接用单根16G内存把槽子插满。
强硬又粗暴的处事方式是最适合富家弟子们的。
觉得不错的，能帮到你的点一波关注，蟹蟹滋呲。优质回答2：选购内存也是有大学问啊，莫慌，且听我慢慢道来！
一：首先需要明确代数！不同代数的内存在主板上不混插的，选购内存之前得看你电脑支持哪一代的内存，目前一般都是4代的啦，也就是我们所说的DDR4。有时可能看到有DDR4L之类的，这个“L”是指低压版的意思，低压版的话一般频率会有所降低。二：看容量！内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。目前大家应该都是64位系统了，一般都8g起步了。也满足了日常需要，至于还要不要提升，就要看是否游戏 *** 了。讲到这里我就要讲讲容量和频率的区别了，其实好比把内存比作一个车间，容量就是车间大小，频率就是工人的工作效率。我们要把处理的文件搬进去，容量大的话能搬进去的东西就越多，频率越高的话，搬进去的速度越快（不明显的），在日常工作中，我们更希望是车间容量越大越好，这样一次可以装很多东西，如果容量满了怎么办。嗯那就需要把车间里的东西搬出来在搬进去，这样一来就会出现卡顿了。
主流一线品牌可选威刚、宇瞻（金士顿略贵）、金泰克等，
二线廉价产品可选十铨、光威。
当然，镁光（零售基本只有英睿达）、芝奇、海盗船等同样是不错的产品。
如果预算足够的话建议组成内存组成双通道，这样电脑性能会有很大的提升，对于核显来说更是尤为重要。
这里要提醒一下，组成双通道，要看你主板是否支持，看到要选两条同频率同容量的内存组咯，更好还是品牌的避免出现不兼容的现象。
【打字不易，点个赞咯】
优质回答3：组装电脑需要买各种品牌型号的配件，而内存就是其中的一种配件，它的选择有很多，比如品牌的选择，内存的品牌非常多，让人眼花缭乱，很多人都不知道怎么选择；又比如，高频内存和低频内存怎么去选择？等等，这些都需要你对内存有一定的了解，下面我从三个角度给大家来讲解一下，如何选择适合自己的内存条。
1，品牌关于品牌我就不在这里一一细说了，直接给大家推荐几个品牌，照着这上面买就不会有错。高端品牌选海盗船，大众化品牌选金士顿或者威刚即可。
2，频率我们以4代内存为例，主要的频率有2133，2400，2666，3000，3200等。选择频率分两种：一种是当你的电脑采用的是核显平台，如锐龙2400G，只要你的主板支持，而你也需要玩游戏，那么尽量选用高频率的内存并且是双通道，也就是需要两根的意思。如两条3200；另一种是当你的电脑使用独立显卡，这时你选哪一个都可以，如2400，它们并没有太大的差别。
3，接口这种情况比较少见，目前市面上的电脑的内存要分为两种，四代和三代。其中主要还是4代内存，三代内存的比较少，但三代内存还是有全新的。这种情况一般在升级电脑时出现，电脑使用什么接口的内存，由主板决定。这时你可以查看一下主板的参数，看它是支持4代内存还是支持三代内存，这样就一目了然了。
最后补充一点，如果你喜欢光特效，对外观有一定要求，可以选择灯条，更好是两条及以上，这样会更好看一些。
希望我的回答对你有所帮助，关注玩电脑，教你玩电脑。
优质回答4：内存条看主板支持数码型号的，有DDR3内存条和DDR4两种规格。
内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写 *** 作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。
内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。
内存条的发展过程。诞生
起初，电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用，一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换，这实在是太费劲了。后来，电脑设计人员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，相应地，在主板上设计了内存插槽，这样，内存条就可随意拆卸了，从此，内存的维修和扩充都变得非常方便。
发展
内存芯片的状态一直沿用到286初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装更换的问题彻底解决了。
在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO-RAM同FP DRAM极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。
在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着 *** 工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用。
SDRAM时代
自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。
之一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。
不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争 *** 锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。
DDR时代DDR SDRAM(Dual DataRate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。之一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向之一个 *** ，另外还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过渡，而DDR400内存成为当下的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
DDR2时代
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合 *** 会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准更大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从之一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，之一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，仅仅依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。
PC-100的“ *** 人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”，这也是大多数较新的芯片组支持的一种内存标准，VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成，它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
RDRAM
Intel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如图4-3所示。
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存 *** 和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此之一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。
DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3更高能够以2400Mhz的速度，由于最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从800Mhz的起跳。在Com *** x大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
DDR4时代DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSi *** aling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。
根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSi *** aling( 传统SE信号)方式DifferentialSi *** aling( 差分信号技术 )方式并存。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
所以建议你选择DDR4内存条。
